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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件-CN201980041859.8在审
发明人：堀勉;塩见弘;宫濑贵也 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：碳化硅外延层包括第一碳化硅层、第二碳化硅层、第三碳化硅层以及第四碳化硅层。第二碳化硅层的氮浓度随着从第一碳化硅层朝向第三碳化硅层而增加。从第三碳化硅层的氮浓度减去第一碳化硅层的氮浓度而得到的值除以第二碳化硅层的厚度所得的值为6×1023cm‑4以下。在将第三碳化硅层的氮浓度设为Ncm‑3、将第三碳化硅层的厚度设为Xμm的情况下，X和N满足数学式1。
碳化硅外延衬底半导体器件

[实用新型]一种搅拌式连续碳化罐-CN202222746492.1有效
发明人：邱为农;刘杰;张康兵 -专利权人：南京金焰锶业有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种搅拌式连续碳化罐，涉及碳酸钙制备技术领域，其技术要点：包括碳化罐，碳化罐内部设有第一碳化层、第二碳化层、第三碳化层、第四碳化层和第五碳化层，中心设有转动轴，转动轴上安装有桨叶，所述碳化层之间设有流通过道，第一碳化层、第二碳化层、第三碳化层、第四碳化层和第五碳化层均设有流通口，第一碳化层流通口上端设有活塞，第五碳化层左侧设有出料口，碳化罐左侧设有二氧化碳储存罐，碳化罐左上端设有氢氧化钙储存罐，二氧化碳储存罐和氢氧化钙储存罐与碳化罐连接有输送管，碳化罐底部右侧设有排气管，排气管上设有第一控制阀，本实用提供了一种在一定程度上控制碳化量，控制反应速度的搅拌式连续碳化罐。
一种搅拌连续碳化

[发明专利]碳化硅‑碳化钽复合材料和基座-CN201480007718.1有效
发明人：篠原正人 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明提供一种耐久性优异的碳化硅‑碳化钽复合材料。碳化硅‑碳化钽复合材料(1)具备表层的至少一部分由第一碳化硅层(12)构成的主体(10)、碳化钽层(20)和第二碳化硅层(13)。碳化钽层(20)配置于第一碳化硅层(12)之上。第二碳化硅层(13)配置于碳化钽层(20)和第一碳化硅层(12)之间。第二碳化硅层(13)通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.2以上。第二碳化硅层(13)通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.0以上。
碳化硅碳化复合材料基座

[发明专利]一种复合碳化硅衬底及其制备方法-CN202211644873.7有效
发明人：母凤文;郭超 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合碳化硅衬底及其制备方法，所述衬底包括单晶碳化硅层以及碳化硅支撑层；所述单晶碳化硅层以及碳化硅支撑层之间设置有第一掺杂碳化硅层；所述第一掺杂碳化硅层和单晶碳化硅层之间设置有键合界面层。所述制备方法为：（1）在所述碳化硅支撑层上沉积第一掺杂碳化硅层，得到第一复合层；（2）将步骤（1）所得第一复合层与经过离子注入或激光照射的单晶碳化硅层相互键合，施加应力后得到所述复合碳化硅衬底组件；（3）热处理步骤（2）所得复合碳化硅衬底组件，得到所述复合碳化硅衬底。本发明提供的复合碳化硅衬底可以减轻或消除键合界面电阻，且制备方法简便高效，可控性好。
一种复合碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅复合基板及其制备方法-CN202210387910.4在审
发明人：郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅复合基板及其制备方法，所述碳化硅复合基板包括单晶碳化硅层以及碳化硅支撑层，所述单晶碳化硅层与所述碳化硅支撑层之间设置有至少1层金属硅化物层，所述单晶碳化硅层与相邻的金属硅化物层之间设置有第一界面层，所述碳化硅支撑层与相邻的金属硅化物层之间设置第二界面层，所述金属硅化物层的电阻率低于100μΩ·cm。所述碳化硅复合基板有效降低了碳化硅支撑层和单晶碳化硅薄层之间的界面电阻，降低了碳化硅复合基板的制造成本，提高了碳化硅复合基板的应用潜力。
一种碳化硅复合及其制备方法

[实用新型]一种碳化钨堆焊层结构-CN201721786210.3有效
发明人：杜鸿;雒玉岐;赵攀 -专利权人：上海亭博分离技术有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： B23K33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化钨堆焊层结构，所述堆焊层结构设置在基体上，包括第一碳化钨层、第二碳化钨层、第三碳化钨层和第四碳化钨层，均为具有弧度的结构；所述基体由本体和凹槽组成；所述凹槽是纵截面为直角梯形的结构；所述凹槽在其内部底部覆盖有第一碳化钨层；在所述第一碳化钨层上覆盖有第二碳化钨层，且第二碳化钨层的顶部略高出凹槽；在所述第二碳化钨层上覆盖有第三碳化钨层，且所述第三碳化钨层的一部分超出凹槽覆盖在凹槽斜边一侧的本体上；所述第四碳化钨层覆盖在第三碳化钨层的一部分和凹槽直边一侧的本体上。本实用新型的碳化钨堆焊层结构耐磨性能好。
碳化钨层碳化钨堆焊层覆盖本实用新型结构设置耐磨性能直角梯形堆焊层纵截面斜边直边

[发明专利]一种碳化硅场效应管的制备方法-CN202310733282.5在审
发明人：伊艾伦;欧欣;周民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅场效应管的制备方法，所述方法包括提供第一碳化硅衬底，在第一碳化硅衬底上外延碳化硅外延层；将轻离子注入碳化硅外延层，轻离子在碳化硅外延层内形成离子集聚区域，使得碳化硅外延层依次形成碳化硅薄膜层、离子集聚区和碳化硅键合层；提供第二碳化硅衬底，对第二碳化硅衬底与碳化硅键合层相互接触的表面进行导电处理；将第二碳化硅衬底与碳化硅键合层进行晶圆键合；将碳化硅键合层与离子集聚区域剥离，得到第一碳化硅衬底、碳化硅薄膜层和离子集聚区域形成的第一衬底结构以及第二碳化硅衬底与碳化硅键合层形成的第二衬底结构，并对第一衬底结构进行回收处理；基于第二衬底结构进行场效应管的制备，得到碳化硅场效应管。
一种碳化硅场效应制备方法

[发明专利]一种燃料颗粒的制备方法以及由此得到的核壳型燃料颗粒-CN201811487028.7有效
发明人：王鹏;张锋;林俊;张海青;曹长青;严超;黄鹤;李子威;于小河 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G21C21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种燃料颗粒的制备方法，包括提供球形的核芯；在所述核芯上通过化学气相沉积形成多孔碳化硅层或碳化锆层，得到多孔碳化硅层或碳化锆层包覆颗粒；将多孔碳化硅层或碳化锆层包覆颗粒浸泡在活性液中进行真空浸渍，得到化合物填充多孔碳化硅层或碳化锆层包覆颗粒；使得化合物填充多孔碳化硅层或碳化锆层包覆颗粒中的化合物分解形成可燃中子毒物氧化物或氧化钍，得到燃料颗粒。本发明通过在核芯外包覆的碳化硅层或碳化锆层来提高燃料颗粒的安全性，即堆安全性；同时通过填充在碳化硅层或碳化锆层中的可燃中子毒物氧化物或氧化钍来提高堆经济性。
一种燃料颗粒制备方法以及由此得到核壳型

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202110388636.8在审
发明人：罗军;袁述;许静;张丹 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有碳化硅层；采用离子注入对所述碳化硅层进行轰击，以使所述碳化硅层的表层非晶化，形成碳化硅的非晶层；进行氧化工艺，以将所述碳化硅的非晶层氧化为氧化硅层通过采用离子注入对碳化硅层进行轰击，使碳化硅层的表层非晶化，形成碳化硅的非晶层，之后对碳化硅的非晶层进行氧化工艺，生成氧化硅层。相较于致密的碳化硅层，碳化硅的非晶层在进行氧化工艺时具有更快的氧化速度，并且碳化硅的非晶层在进行氧化工艺时，通过固相外延再次生长，能够改善SiC和氧化硅的界面质量。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种多台阶的钳位电压可选的SiC-TVS器件及制备方法-CN202211330241.3在审
发明人：韩超;苑广安;汤晓燕;王东;吴勇;刘雄;陈兴;黄永 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种多台阶的钳位电压可选的SiC‑TVS器件及制备方法，器件包括：碳化硅衬底层，碳化硅外延堆叠层，碳化硅外延堆叠层包括n层第一碳化硅外延层和n层第二碳化硅外延层；第一电极，位于最顶层的第二碳化硅外延层上；若干第二电极，位于碳化硅衬底层的第二上表面上及第1层第二碳化硅外延层至第(n‑1)层第二碳化硅外延层的第四上表面上；其中，第一碳化硅外延层为轻掺杂，第二碳化硅外延层为重掺杂，且碳化硅衬底层和第二碳化硅外延层均为第一导电类型，第一碳化硅外延层为第二导电类型。
一种台阶电压可选 sic tvs 器件制备方法

[发明专利]碳化硅外延衬底-CN202080004078.4在审
发明人：榎薗太郎;堀勉;西口太郞 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：碳化硅外延衬底具有碳化硅衬底、第一碳化硅外延层以及第二碳化硅外延层。碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相反一侧的第二主面。第一碳化硅外延层与整个第一主面接触。第二碳化硅外延层与整个第二主面接触。碳化硅衬底的载流子浓度高于第一碳化硅外延层及第二碳化硅外延层各自的载流子浓度。
碳化硅外延衬底

[实用新型]一种硼掺杂金刚石电极-CN202020330028.2有效
发明人：王玲 -专利权人：吕梁学院
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硼掺杂金刚石电极，涉及新型电极材料领域，包括基层，所述基层的外表面设置有硼掺杂金刚石薄膜层，所述基层由第一被碳化金属层、第二被碳化金属层、第三被碳化金属层和第四被碳化金属层组成，所述第二被碳化金属层设置在第一被碳化金属层的外表面，所述第三被碳化金属层设置在第二被碳化金属层的外表面。本实用新型通过设置第一被碳化金属层、第二被碳化金属层、第三被碳化金属层和第四被碳化金属层，基层由多层被碳化金属材料组成，增强了金刚石与基层的附着力，使得结构更稳定，通过设置圆柱状的基层、凸起和修复层，大大增强了电极的比表面积
一种掺杂金刚石电极

[发明专利]一种降低碳化硅同质外延缺陷的生长方法、碳化硅外延片和应用-CN202211585983.0在审
发明人：孙国峰;浩瀚;赵新田;周勋 -专利权人：宁波合盛新材料有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低碳化硅同质外延缺陷的生长方法、碳化硅外延片和应用，涉及半导体材料技术领域。本发明提供的降低碳化硅同质外延缺陷的生长方法，包括以下步骤：对碳化硅衬底进行刻蚀，得到刻蚀后的碳化硅衬底；在所述刻蚀后的碳化硅衬底上生长碳化硅预缓冲层；对所述碳化硅预缓冲层进行烘烤，得到烘烤后的碳化硅预缓冲层；在所述烘烤后的碳化硅预缓冲层上生长碳化硅缓冲层；在所述碳化硅缓冲层上生长外延层，得到碳化硅外延片。本发明能够减少外延缺陷，提高外延层质量。
一种降低碳化硅同质外延缺陷生长方法应用

[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法-CN201280061374.3有效
发明人：日吉透;增田健良;畑山智亮 -专利权人：住友电气工业株式会社;国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在制造碳化硅半导体器件的方法中，通过向碳化硅层供应工艺气体同时加热所述碳化硅层来执行相对于碳化硅层的热蚀刻，所述工艺气体与碳化硅进行化学反应。通过热蚀刻在碳化硅层上形成碳膜(50)。碳化硅层被热处理，使得碳从碳膜(50)扩散进碳化硅层。
制造碳化硅半导体器件方法

[发明专利]无声链-CN03122592.6无效
发明人： Y·苏佶;K·马苏乌拉 -专利权人：博格沃纳·莫尔斯TEC日本株式会社
申请日： 2003-03-12 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： F16G13/00 文献下载
摘要：一种提高抗磨损能力的无声链，包括带销孔对的链节板，销孔用尖端带一圈周边部分的冲孔机来修整，连接销的碳化层在销的基材上形成。碳化层包括作为基本成分的碳化钒和作为第二成分的碳化铬。碳化层在基材的最外面形成。边界层形成于碳化层和基材之间的边界区域。边界层包括百分含量急剧降低的碳化钒和百分含量急剧升高的碳化铬。因为形成于基材金属顶部的该碳化层包括碳化钒的主要成分，所以能阻止碳化层表面脱落。
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